首先，該問題似乎僅影響采用 MLC（多層單元）存儲顆粒的 SSD，采用 SLC（單層單元）存儲顆粒的 SSD 則不再此列。前者在性價比上更具優(yōu)勢，因此市面上的普及率也很高。
此外，盡管這項研究并未涉及采用“三層單元”（TLC）存儲顆粒的 SSD，但 ExtremeTech 指出 —— 由于采用了與 MLC SSD 相同類型的編程周期，TLC SSD 也面臨著相同的漏洞威脅。
問題源自于 MLC 是如何被編程的。 與 SLC SSD 不同，MLC 驅(qū)動器會將數(shù)據(jù)從一塊緩存（而不是主控）中寫入閃存單元。通過攔截這一進程，攻擊者就可以破壞需要被寫入的數(shù)據(jù)。
顯然，此舉會導(dǎo)致內(nèi)存中存儲的數(shù)據(jù)損壞，甚至對 SSD 本身造成損害、減少其使用壽命。
感興趣的網(wǎng)友可以移步至 Semantic Scholar 閱讀全文，標(biāo)題為：《MLC NAND 閃存編程中的漏洞：實驗分析、漏洞利用、以及緩解技術(shù)》。